1.全面负责公司光通信芯片（DFB/CWDFB/EML）外延技术团队的组建、管理与技术路线规划， 制定外延技术发展战略和中长期研发计划。 2.主导 InP 基材料体系 MOCVD 外延生长工艺的开发与优化，确保外延片的均匀性、重复性和 良率达到量产标准。 3.牵头多量子阱（MQW）结构设计、掺杂工艺优化、光栅层外延生长等核心技术攻关，支撑 DFB/EML 高速芯片的性能提升（带宽>25G/50G/100G）。 4.建立外延工艺标准化体系（SOP/SPC/DOE），推动从研发到量产的技术转移，解决量产过程 中的外延良率和一致性瓶颈问题。 5.跟踪行业前沿技术（如 BH-DFB、EML 集成外延等），评估新材料、新工艺的技术可行性， 为公司产品迭代提供技术储备。 6.负责外延设备的选型、评估与导入，制定设备（AixtronMOCVD设备）维护与升级计划，保 障设备稼动率。 7.对接芯片设计、流片工艺、测试表征、可靠性等部门，建立跨部门协同机制，确保外延工艺满 足产品全流程需求。 8.负责外延技术团队的绩效管理、人才梯队建设与技术培训，打造行业一流的外延工程团队。

1.硕士及以上学历，博士优先，半导体物理、材料科学、光电工程、电子工程等相关专业。 2.10 年以上InP光通信外延工作经验，其中至少 5 年管理岗位经验，具有激光器芯片外延量产经 验者优先。 3.精通 MOCVD 外延生长原理和工艺，深入了解InP基 DFB/EML 激光器外延结构（含光栅掩埋 再生长、选区生长等核心工艺）。 4.熟练掌握外延表征手段（XRD、PL、ECV、Hall、AFM、SEM、TEM 等），能通过数据分析指 导工艺优化。 5.有成功主导 DFB/EML 外延片量产导入经验，熟悉从研发到批量生产的全流程管控。 6.具备优秀的团队领导力、跨部门沟通能力和项目管理能力，能有效驱动复杂技术项目的交付。 7.对标企业（源杰科技、仕佳光子、华为海思、长光华芯、敏芯、索尔思等）相关岗位经验者优先